先辈制程布局复杂化带动图形化环节投资强度提拔。逻辑端GAA布局、存储端高层数3D堆叠，对高深宽比刻蚀（HAR）、高选择比刻蚀（ALE）以及ALD等原子级堆积手艺提出更高要求。且随制程演进呈提拔趋向。多沉、先辈金属材料替代及新型布局引入，使设备数量取工艺复杂度同步提拔，设备投资呈现“手艺节点越先辈、单元投资越高”的乘数效应，焦点平台型设备商取细分龙头无望持续受益。

　　智通财经APP获悉，AI算力需求鞭策全球半导体设备进入新一轮扩产周期。先辈逻辑取存储制进，使刻蚀、薄膜堆积等设备价值量持续提拔。美国等国强化出口，加快我国设备国产替代历程。当前国产化率仍低于25%，正在政策取大基金支撑下，平台型厂商无望正在先辈制程取封拆范畴持续冲破，获得更大份额。

　　投资：沉点保举前道平台化设备商【北方华创】【中微公司】，低国产化率环节设备商【芯源微】【中科飞测】【精测电子】，薄膜堆积设备商【拓荆科技】【微导纳米】，后道封拆测试设备【华峰测控】【长川科技】【迈为股份】；零部件环节【新莱应材】【富创细密】【晶盛机电】【英杰电气】【汉钟精机】。

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　　正在AI算力需求迸发布景下，全球半导体设备市场规模持续立异高。先辈逻辑端，FinFET向GAA/CFET演进，5nm及以下制程单元产能设备投资额显著提拔，单万片/月产能投资额较28nm提拔数倍；存储端，HBM带动DRAM高阶制程升级，3D NAND向400层以上堆叠演进，单万片产能投资额同步提拔。中国晶圆产能全球占比仍低于发卖占比，逻辑取存储龙头本钱开支维持高位，叠加两大存储厂商上市融资期近？。